Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти.

В январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов, и в дальнейшем инженерные коллективы  Intel и Micron будут работать раздельно, за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint.

Intel активно набирает специалистов для «формирования новой и передовой команды инженеров». Можно предположить, что целевая инженерная группа Intel по разработке 3D NAND разместится вблизи завода в Китае. В любом случае, Intel надо будет компенсировать интеллектуальный разрыв с Micron. Работа с китайцами может позволить Intel выйти на новые для неё рынки с изделиями по конкурентной цене.

Узнать больше об опыте и планах Intel вы сможете на Десятой конференции «Корпоративный контроллинг», на которой выступит Вадим Головин, финансовый директор.

Источник: 3DNews